Sejak thyristor pertama SCR dikembangkan pada akir 1957, telah berkembang cepat banyak devais semikonduktor daya yang lebih canggih. Hingga tahun 1970, thyristor konvensional telah digunakan secara ekslusif pada kendali daya pada aplikasi industri. Sejak tahun 1970, banyak tipe devais semikonduktor daya telah dikembangkan dan disediakan secara komersial. Devais-devais ini dapat dibagi menjadi lima katagori : (1) diode daya,
(2) thyristor,
(3) power bipolar junction transistor (BJT),
(4) MOSFET daya, dan
(5) insulated gate bipolar transistor (IGBT) dan static induction transistor (SIT).

Thyristor dapat dibagi lebih lanjut menjadi delapan tipe :
(a) forced commutated thyristor,
(b) line commutated thyristor,
(c) gate turn off thyristor (GTO),
(d) reverse conducting thyristor (RCT),
(e) static induction thyristor (SITH),
(f) gate assisted turn off thyristor (GATT),
(g) light activated silicon controlled rectifier (LASCR), dan
(h) MOS controlled thyristor (MCT).

Static induction transistor juga tersedia secara komersial.
Ada tiga tipe diode daya : serba guna, kecepatan tinggi (pengisian cepat), dan schottky. Diode pemulihan cepat merupakan komponen dasar untuk proses pensaklaran kecepatan tinggi dari konverter daya. Suatu diode memiliki dua terminal : katode dan anode. Suatu diode akan tersambung ketika tegangan anode lebih tinggi dari tegangan katode; dan tegangan jatuh maju (forward voltage drop) dari diode daya sangat kecil, berkisar pada 0,5 V sampai dengan 1,2 V. Jika tegangan katode lebih besar dari tegangan anode, diode dikatakan dalam keadaan blocking mode.Thyristor mempunyai tiga buah terminal : anode, katode dan gate. Ketika suatu arus kecil melewati terminal gate ke katode, thyristor akan tersambung, jika terminal tegangan anode lebih tinggi dari katode. Begitu katode berada pada mode tersambung itu, rangkaian gate tidak lagi memegang kendali dan thyristor akan tetap tersambung. Ketika thyristor berada pada mode tersambung, tegangan jatuh majunya sangat kecil, berkisar pada 0,5 sampai dengan, 2 V. Thyristor yang tersambung dapat dimatikan dengan membuat tegangan anode sama atau lebih kecil dari tegangan katode. Line-commutated thyristor dimatikan melalui sifat sinusoidal dari tegangan masukan, dan forced-commutated thyristor dimatikan dengan rangkaian khusus yang disebut commutation circuitry.

RCT dan GATT digunakan secara luas pada proses pensaklaran high-speed, terutama pada aplikasi traksi. Suatu RCT dapat dianggap sebagai thyristor dengan inverse paralel diode. Untuk aplikasi AC daya rendah, TRIAC digunakan secara luas pada semua tipe kendali panas sederhana, kendali penerangan, kendali motor, dan saklar AC. Karakteristik dari TRIAC mirip dengan dua thyristor dihubungkan dalam hubungan inverse paralel dengan hanya mempunyai satu terminal gate. Aliran arus yang melalui TRIAC dapat dikontrol arahnya.
GTO dan SITH merupakan self turned off thyristor. GTO dan SITH dihidupkan dengan memberikan suatu pulsa positif ke gate dan dimatikan dengan pemberian pulsa negatif pada gate. GTO sangat menarik untuk aplikasi forced commutation dari konverter dan diharapkan untuk dapat diaplikasikan pada converter kelas menengah dengan frekuensi pensaklaran pada orde beberapa ratus kilohertz dan di atas daerah frekuensi GTO. Suatu MCT dapat dihidupkan dengan memberikan pulsa negatif kecil pada MOS gate (relatif terhadap anode), dan dimatikan dengan pulsa kecil positif.

Transistor bipoler daya tinggi high power bipolar transistor biasanya digunakan pada konverter daya pada frekuensi di bawah 10 KHz. Beberapa konfigurasi dari bipolar transistor diperlihatkan pada Gambar. Suatu bipolar transistor memiliki tiga terminal: base, emiter, dan kolektor. Bipolar transistor dioperasikan secara normal sebagai swith pada konfigurasi common emitter. Transistor akan tetap on-asal pada sambungan kolektor emitter telah diberikan tegangan bias seperlunya. Tegangan jatuh maju pada transistor berada pada daerah 0,5 sampai dengan 1,5 V. Jika tegangan drive base dihilangkan, transistor akan kembali ke keadaan mati.

MOSFET daya digunakan untuk konverter kecepatan tinggi. Beberapa MOSFET daya dalam berbagai ukuran diberikan pada. SIT merupakan devais frekuensi tinggi dan daya besar. SIT sebenarnya merupakan versi solid state dari tabung trioda vakum, dan mirip dengan JFET. SIT memiliki karakteristik noise yang rendah, distorsi kecil dan daya pada frekuensi auido yang tinggi. Waktu pensaklarannya sangat rendah hingga mencapai 0,25 μ detik. Karakteristik normal-ly-on dan high on state drop membatasi aplikasinya untuk konversi daya umum.